一、指南说明
　　研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》工业节能优先主题的重要内容。“半导体照明工程”项目在“十一五”的战略目标是：通过自主创新，突破白光照明部分核心专利，解决半导体照明市场急需的产业化关键技术，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，完善半导体照明产业链，形成我国具有国际竞争力的半导体照明新兴产业。
　　本项目分解为七个研究方向：
　　第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究；
　　130lm/W半导体白光照明集成技术研究；
　　100lm/W功率型LED 制造技术开发；
　　MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发；
　　半导体照明重大应用技术开发；
　　半导体照明规模化系统集成技术研究；
　　半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究。
　　此次发布的课题申请指南经费预算为22000万元。

　　二、课题申请单位的要求
　　1.课题申请者必须是法人。法人是当然的课题依托单位，且须指定一名自然人担任课题申请负责人。每个课题申请只能有一个课题申请负责人和一个依托单位。
　　2.申请单位应符合的基本条件：在中华人民共和国境内登记注册一年以上的企事业法人单位。包括：大学、科研机构等事业法人单位；成立一年以上且中方控股的企业法人单位。
　　3.目的申请鼓励上下游、产学研结合，鼓励地方政府、企业根据本地区的产业发展需求予以经费配套支持。
　　4.联合申请的课题，申请单位与协作单位之间应分工明确，协作单位原则上不超过3家。

　　三、课题负责人的条件和要求
　　1.课题申请者应符合的基本条件：课题申请者(申请负责人)必须具有中华人民共和国国籍，年龄在55岁以下(1951年1月1日以后出生)，具有副高级以上职称或已获得博士学位。
　　2.申请者回避规定：科技部及所属事业单位借调的与863计划相关的人员不能申请或参加申请。

　　四、限项申请规定
　　为保证科研人员能够高质量地开展研究工作，863计划实行限制申请及承担课题数量规定。申请者当年申请及负责的在研课题累计不得超过一项，同时可参加一项课题(申请或在研)。

　　五、申报程序和要求
　　1.网上申报
　　课题申请采取网上集中申报。申报通过“国家科技计划项目申报中心”进行，网址为www.most.gov.cn。本次课题申请受理的截止日期为2006年10月30日。申请程序和要求如下：
　　(1)依托单位在国家科技计划项目申报中心进行注册。有关注册程序和要求参见申报中心网上说明，技术咨询电话：010-58881245，010-68576284。注册成功后，依托单位对课题申请者授予申报用户权限。鉴于注册需要一定时间，请依托单位(包括协作单位)尽快进行网上注册。
　　(2)申请者了解与课题申请有关的信息。建议拟申请863计划课题的研究人员，在申请前认真阅读相关课题申请指南，以及863计划有关管理规定等，从而了解863计划的性质、申请资格要求等事项。拟申请者可以登录科技部网站(www.most.gov.cn)或863计划网站(www.863.org.cn)查阅有关规定、办法和相关信息。
　　(3)申请者确定申请的研究方向和课题类型。拟申请者在确定符合863计划课题的申请资格后，根据申请指南选择合适的研究方向和课题类型，开始着手课题申请书的撰写。
　　(4)申请者填写课题申请书。申请者登录国家科技计划项目申报中心，点击进入863计划申报界面，即可按照要求填写课题申请书，也可从科技部网站或863计划网站下载课题申请书模板准备相关内容，再登录系统完成填写工作。
　　2.咨询
　　联系人：阮军　耿博
　　电　话：010-51727118，010-82512806
　　传　真：010-51727120
　　地　址：北京市海淀区中关村南大街2号数码大厦B座1002室
　　邮　编：100086
　　有关本项目课题申请指南其它未尽事宜，我们将通过科技部和863计划网站、中国半导体照明网及时通告，请大家留意网站。欢迎广大科研人员申请本项目课题。
　　科技部网址： www.most.gov.cn
　　863计划网址：www.863.org.cn
　　中国半导体照明网：www.china-led.net

　　六、指南内容
　　附件： “半导体照明工程”重大项目2006年度课题申请指南

863计划新材料领域办公室
2006年9月30日

附件：国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域重大项目'半导体照明工程'2006年度课题申请指南
一、指南说明
研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》工业节能优先主题的重要内容。'半导体照明工程'项目在'十一五'的战略目标是：通过自主创新，突破白光照明部分核心专利，解决半导体照明市场急需的产业化关键技术，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，完善半导体照明产业链，形成我国具有国际竞争力的半导体照明新兴产业。
本项目分解为七个研究方向：
第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究；
130lm/W半导体白光照明集成技术研究；
100lm/W功率型LED 制造技术开发；
MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发；
半导体照明重大应用技术开发；
半导体照明规模化系统集成技术研究；
半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究。
此次发布的课题申请指南经费预算为22000万元。
二、指南内容
方向一、第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究
本方向经费预算为3500万元。课题支持年限原则上不超过2年。
课题1、新型衬底GaN基材料的外延技术
研究目标：探索新型衬底制备工艺及其外延生长工艺，掌握新型衬底材料外延技术和图形衬底GaN材料制备技术，实现新型衬底的实用化，并获得拥有自主知识产权的专利技术。
主要研究内容：GaN衬底大功率LED材料外延技术；非极性面GaN基LED材料用衬底及外延技术；图形衬底GaN材料制备技术；SiC衬底GaN基材料外延技术；LiAlO2、ZnO等新型衬底制备及GaN基材料外延技术。
课题2、高效率大功率LED外延材料制备技术
研究目标：提高高效大功率LED外延材料质量，优化外延结构设计，降低材料缺陷密度，改善p型掺杂技术，突破高效率大功率LED结构材料外延生长的关键技术问题，解决产业链中的核心障碍，进一步提高LED器件性能。
主要研究内容：研究非极性面生长技术、图形衬底及侧向外延技术，提高大功率LED外延材料内量子效率，降低发光层的缺陷密度；研究新结构大功率蓝光LED结构材料外延生长；研究大功率LED外延材料p型掺杂技术(掺杂浓度大于1×1018cm-3)。
课题3、GaN基深紫外LED材料的外延技术
研究目标：解决高质量AlGaN材料外延技术和p型掺杂技术，并研制出深紫外LED器件结构材料，掌握照明光源材料的核心制备技术。
主要研究内容：AlN衬底制备；深紫外LED用AlGaInN材料的外延技术和掺杂技术，提高发光效率；高Al组分AlGaN材料制备技术，提高材料质量，降低发光层的缺陷密度；高Al组分AlGaN材料p型掺杂技术；紫外LED器件用结构材料设计和理论模拟；AlGaN材料的欧姆接触；研究波长小于300nm的紫外LED器件结构材料。
课题4、新型大功率器件技术研究
研究目标：解决高效率大功率LED器件制备的关键技术问题。通过优化现有工艺技术和新技术、新材料的应用，有效提高LED器件的效率。
主要研究内容：功率型白光LED器件制备技术研究；新型结构高效率大功率LED器件制备技术研究；阵列式LED器件制备技术研究；大功率LED可靠性研究；微结构LED器件制备技术研究及湿法和干法腐蚀芯片表面微结构技术；高可靠低热阻倒装焊热沉及凸点制备技术；低损伤掩膜沉积及ICP刻蚀技术；研究新型大功率白光LED封装材料和工艺，包括高折射率光学材料和焊接材料等；静电保护技术；光子晶体结构大功率白光LED的技术研究；大面积无损衬底剥离技术。
课题5、创新性白光技术路线探索
研究目标：探索实现半导体白光照明的前瞻性新技术。对于可能实现半导体照明的新原理、新材料和新技术进行探索性研究，获得实现照明的新的技术途径。
主要研究内容：单芯片宽谱白光、偏振白光等技术路线研究；多芯片集成白光LED技术；其它创新性半导体白光照明技术路线探索。
申请条件：申请单位需要有一定的研究基础和创新思路，有一支稳定的研究队伍，拥有基本的设备条件。
方向二、130lm/W半导体白光照明集成技术研究
本方向经费预算为4000万元，课题支持年限原则上不超过3年。
主要研究内容：研究新型结构的材料制备工艺和器件制备工艺及封装散热和光学设计，形成系列优化结构和工艺条件。以半导体照明新的技术路线探索为基础，进行产业链集成化的关键技术开发，提高新型衬底材料、外延、芯片及高效低热阻封装等集成技术的开发能力；形成重大装备和关键原材料国产化工业示范环境；结合其他创新单元，总体集成半导体照明用LED关键技术，完善创新成果工程化研究，实现130lm/W白光技术集成突破。探索产学研有效结合的体制机制，促进研发与产业的技术、人才交流，强化研发对产业的支撑能力。
申请条件：申请单位需要具有齐全的材料外延、器件工艺线和表征测试分析设备，具有一支经验丰富、结构合理、稳定的科研团队，在该领域具有丰富的科研积累和坚实的研究基础，并具有创新的思路；在项目带动条件建设中，申请单位有较强的资金配套能力和组织管理能力；申请单位能为LED外延、芯片、封装企业提供全面的技术服务，以及测试分析、人才培训等支撑服务；申请单位与相关科研单位具有广泛的合作关系，与产业界有广泛的合作基础和清晰的产权关系，确保研发成果在产业中能够广泛推广。
方向三、100lm/W功率型LED 制造技术开发
本方向经费预算为6500万元，课题支持年限原则上不超过3年。
课题1、100lm/W功率型白光LED制造技术
研究目标：突破LED外延材料、芯片和器件封装的关键制造技术，建立具有国际先进、国内领先水平的外延、芯片、封装示范生产线。
主要研究内容与指标：高质量低位错密度、高效率功率型GaN LED 外延片，蓝光波长455±5nm；绿光波长525±5nm；功率型GaN蓝、绿光LED芯片产业化关键技术研究，包括欧姆接触、倒装、衬底剥离、键合、表面粗化、透明电极等关键工艺技术，蓝光波长455±5nm，芯片光输出功率效率≥350 mW/W，绿光波长525±5nm，芯片光输出功率效率≥160 mW/W；基于蓝光加荧光粉产生白光技术路线的100lm/W功率型白光LED器件封装关键技术。以产业化为目标，创新性器件结构、散热、光学性能设计，优化软性硅橡胶、荧光粉、焊剂等封装材料，突破共晶焊等关键工艺技术；建立规模化的生产线。
功率型白光LED(1W)主要指标：出光效率：≥100 lm/W；色温：3000-8000K；显色指数：＞80；热阻：＜8℃/W；工作电压：＜3.5V；工作寿命：≥50000小时;光输出饱和电流≥700mA，同一平台条件下做700mA加速老化实验。
申请条件：本课题以企业为主体，要求上下游企业强强联合申报，鼓励产学研结合。联合申报时要明确主承担单位和协作单位，以及各方的责权利。'十一五'期间，本课题按'优胜劣汰，滚动支持'的原则进行管理。所有课题承担单位必须有专门的研究机构和稳定的人才队伍，具备规模化生产条件，以及可落实的自筹资金渠道和计划。
课题2、基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
研究目标：实现硅衬底GaN基LED制造技术的突破，建立从外延材料、芯片到器件封装的产业化示范生产线，提升产业的核心竞争力。
主要研究内容与指标：Si衬底GaN基LED外延片制造关键技术，蓝光波长455±5nm；高效功率型GaN基LED芯片制造关键技术(包括衬底剥离和键合等技术)；功率型LED器件封装技术；发展具有自主知识产权的Si衬底外延生长及芯片制造核心技术。
功率型白光LED(1W)主要指标：出光效率：80-100lm/W；色温：3000-8000K；显色指数：＞80；电流密度≥40A/cm2；热阻：＜8℃/W；工作电压：＜3.5V；工作寿命：≥50000小时;光输出饱和电流≥700mA，同一平台条件下做700mA加速老化实验。
申请条件：本课题以企业为主体，要求上下游企业强强联合申报，鼓励产学研结合。联合申报时要明确主承担单位和协作单位，以及各方的责权利。所有课题承担单位必须有专门的研究机构和稳定的人才队伍，具备产业化生产条件，以及可落实的自筹资金渠道和计划。
课题3、RGB三基色白光LED制造技术
研究目标：以实现半导体照明为目标，突破基于RGB三基色光混光产生白光LED的封装关键技术，满足大尺寸LCD背光源及特殊照明等需求，实现规模化生产。
主要研究内容与指标：重点研究RGB三基色白光LED器件结构、芯片匹配、散热、光色动态调校等关键技术。RGB三基色白光LED器件主要指标：出光效率≥80lm/W；显色指数≥90；色域≥105%；寿命和稳定性≥50000小时。
申请条件：本课题以企业为主体，要求上下游企业强强联合申报，鼓励产学研结合。联合申报时要明确主承担单位和协作单位，以及各方的责权利。所有课题承担单位必须有专门的研究机构和稳定的人才队伍，具备规模化生产条件，以及可落实的自筹资金渠道和计划。
课题4、功率型LED器件封装用关键配套材料产业化关键技术
研究目标：实现100lm/W功率型LED器件封装用光学级硅胶、荧光粉等关键配套材料的国产化。
主要研究内容与指标：功率型LED封装用硅胶折射率：＞1.5(nD25)，透光率：≥98%(400-800nm，厚度10mm)。功率型LED封装用透镜材料折射率：＞1.5，透光率：≥93%(400-800nm)。荧光粉粒度分布：D50 < 5μm，(D90 -D10)/D50 < 1.5；封装后白光LED效率100 lm/W；显色指数≥80；白光色温达到3000-8000 K；荧光粉每千小时光衰< 5%；制成白光LED后色坐标(蓝光激发波长440-460nm)：x = 0.33±0.05，y = 0.33±0.05。
申请条件：申请单位需要有一定的研究基础和创新思路，有一支稳定的科研团队，具备产业化生产条件，以及可落实的自筹资金渠道和计划。
方向四、MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发
本方向经费预算为2500万元，课题支持年限原则上不超过3年。
课题1、 MOCVD材料生长等关键设备
研究目标：开展MOCVD系统计算机模拟仿真系统的建设，突破其反应室设计、制造等关键技术，完善研发、生产、检测配套设施，探索总结材料生长工艺，成膜的均匀性和重复性优于±5%；批量制造的20mA下蓝光LED 芯片发光功率大于8mW；实现多片机(6片机、21片机等)的工业化应用和小批量生产，完成设备关键部件的设计及制造，以及低成本关键设备的研制。
主要研究内容：MOCVD设备反应室设计、制造技术，反应室内原料配送混合系统，热场、气场研究，衬底承载和旋转系统。MOCVD控制系统的研究，包括气体输运系统：MO源精确输运技术研究，气体无扰动切换技术研究，压力闭环自动控制，计算机自动控制技术研究；高平稳衬底旋转技术研究，原位监测技术研究，尾气处理技术研究。MOCVD生长工艺技术研究，气相预沉积和生成加合物的预防;设备消耗性、易损性关键部件的开发。其它低成本关键设备的研制。
课题2、HVPE法制备GaN同质衬底
研究目标：能够保证GaN的稳定生长，在成本、生长速率、样品质量、GaN衬底的光学和电学性质可控性方面，开发既能满足光电子和微电子器件的要求，又能实现规模化生产的HVPE设备。制备出厚度为0.1-0.4mm的可用于同质外延的2英寸GaN衬底。
主要研究内容与指标：主要解决GaN自支撑同质衬底制备的关键技术和用于规模化生产的HVPE设备。GaN衬底的HVPE生长技术研究，并能批量化生产。开发具有自主知识产权的GaN衬底的切、磨、抛等制备工艺技术。
2英寸GaN衬底厚度均匀性：＜10％；晶体质量：XRD(X射线衍射)摇摆曲线FWHM (002)<3arcmin，FWHM(102)＜3arcmin；位错密度＜3×106 cm-2；光学性质：透明，室温主发光峰FWHM＜10meV；电学性质：室温下n＜ 5×1016 cm-3 ；迁移率u＞500cm2/V/s (300K)；表面质量：满足免处理直接(epi-ready)外延的要求。
课题3、SiC单晶衬底制备
研究目标：研究高质量n型SiC单晶的生长、切割和晶片加工技术。解决6H晶型SiC衬底(包括半绝缘和n型衬底)的制备：晶体直径≥2英寸，可使用面积＞80％；平均微管密度＜50个/cm2；n型衬底的电阻率＜0.1欧姆·厘米；半绝缘衬底的电阻率＞1×105欧姆·厘米；衬底表面的粗糙度＜5nm；XRD摇摆曲线FWHM＜3arcmin；衬底表面适合于GaN基LED的外延工艺要求。
主要研究内容：高质量SiC单晶生长技术研究；采用氮掺杂实现n型衬底；规模化生产衬底的切、磨、抛等处理工艺研究；批量提供用于GaN基材料的外延生长和器件制备研究的衬底。
课题4、MO源与高纯氨
研究目标：研发高质量的金属有机源(MO源)和超高纯度氨气(NH3)，降低成本，满足国内需求、替代进口。MO源质量提高到6.5N(99.99995％)，实现工业化应用；用于光电子行业的超高纯氨气纯度达到7N(99.99999％)，实现工业化应用。
主要研究内容：重点是Al源和In源的生产工艺研究：包括MO源纯化技术，杂质分析技术；粗氨纯化和检测技术。
申请条件：申请单位有一定的研究基础和创新思路，有一支稳定的科研团队，拥有基本的设备条件。采用工艺研究、生产、应用相结合的组织形式，具有一定的研究基础和产业化生产的保障条件，以及可落实的自筹资金渠道和计划。
方向五、半导体照明重大应用技术开发
本方向经费预算为2600万元，课题支持年限原则上2-3年。
课题1、大尺寸LCD背光源
研究目标：有效显示尺寸对角线≥40英寸；静态背光在6500K的色温下，液晶面板中心亮度≥500 Nits；均匀性：亮度＞85%(九点)，色度 (色坐标) ：±0.02；色域≥105%；静态背光LED功耗＜200W， 动态背光LED平均功耗较静态功耗节省 >30%；整体混光厚度＜35mm，色温4000-8500K；寿命＞50000小时(LED寿命)影像动态对比：≥10000：1；电视屏视角：>175°(10：1)；背光模组成本低于250美元；建成2-3条年产大尺寸TFT-LCD背光模组10万片的示范线。
主要研究内容：背光模组用 LED 器件开发，研究高效率芯片；RGB封装的一次光学设计；模块间组装的二次光学设计；具有过渡折射率封装胶的封装工艺；热阻和散热研究及相应的工艺技术；新一代高效LED背光源器件制造及检测技术；LED背光模组、采用LED背光的TFT-LCD电视机整机开发，液晶面板与背光模组总体设计；二次光学系统设计；热学设计；详细结构设计；驱动电路设计，降低功耗/发热技术、色彩/亮度反馈控制系统、主动/区域系统；系统集成技术；场序彩色设计(无彩色滤光膜)、高响应液晶面板开发(OCB等)；中试、产业化方案制定，开发规模化生产的检测技术和高效生产工艺技术等。
课题2、LED轿车前照大灯系统集成技术开发
研究目标：研制出2-3种LED轿车前照灯样灯。使用近光灯时光通量达到1000 lm，3000小时内光衰＜10％；建立LED汽车前照灯规模化生产的检测技术和高效生产工艺技术，并形成年产3万套的生产能力。
主要研究内容：解决汽车前照灯系统的散热问题；优化光学设计，在远光和近光使用条件下都满足汽车照明标准；基于总线的LED汽车灯具的控制电路及基于汽车电源的驱动模块的研制；开发LED汽车前照灯规模化生产的检测技术和高效生产工艺技术等。
课题3、室内数字智能化LED照明系统开发
研究目标：面对通用照明市场，以智能化气氛、情景照明为主体，开发出新型智能化半导体照明系统的产业化关键技术，实现半导体照明由特殊照明向普通照明的过渡，带动传统照明产业的技术升级。白光光源功率大于6W，发光效率80-100 lm/W，色温3000-8000K；寿命＞50000小时；千流明成本＜45元。
主要研究内容：研究大功率半导体照明光源内LED光辐射分布模型；研究大功率LED在灯具内的散热技术，以提高灯具发光效率和安全性；电路板上直接芯片封装(COB)技术，实现平面LED照明灯具与建筑融为一体；照明灯具光学结构的优化设计，提高光线的均匀性和柔和性；开发适合室内平面照明光源的智能控制、联网控制系统和驱动电源。
课题4、OLED照明光源开发
研究目标：提高白光OLED器件发光效率和寿命，2010年白光OLED器件效率达到60 lm/W，1000 cd/m2亮度下寿命达到10000小时，开始在特殊照明领域应用，与LED照明形成互补。
主要研究内容：研究新型、高稳定性OLED磷光材料(重点是蓝色磷光材料)及其主体材料的；支持具有创新性的、高性能的白光器件结构设计和器件制备技术；以及研究提高显色指数的方法；开发OLED特殊照明光源应用。
课题5、新型半导体照明光源应用系统开发
研究目标：面对投影、显示、生物、农业、医疗和环保等领域，以及新能源(如太阳能、风能等)对半导体照明的应用需求，以半导体照明光源为主体，开发出新型半导体照明光源应用系统的产业化关键技术，实现产业化，带动新兴产业。
主要研究内容：研究LED照明光源对人类健康的影响，开发LED系列医疗器械；研究LED光源对植物生长的影响，开发用于农业生产领域的LED系列产品；研究LED照明光源对生物生长发育的影响，开发用于生物工程的LED系列产品；研究紫外光LED在环保净化工程上的应用原理，开发用于环保领域的LED系列产品；研究半导体照明光源在投影等领域，以及与新能源结合的重大应用。
申请条件：本课题以企业为主体，要求上下游企业强强联合申报，鼓励产学研结合。联合申报时要明确主承担单位和协作单位，以及各方的责权利。所有课题承担单位要有一定的研发基础和创新思路，有一支稳定的科研团队，具备产业化生产条件，以及可落实的自筹资金渠道和计划。
方向六、半导体照明规模化系统集成技术研究
本方向经费预算为2000万元，课题支持年限原则上2-3年。
研究目标：通过半导体照明效果软件开发和模拟、半导体照明光源的设计和开发、散热结构设计、照明系统供电和功率LED光源驱动器设计、系统控制软件设计等应用技术研究，依托北京奥运、上海世博等重大工程，形成集成应用成套技术。制定LED器件产品技术规范、LED夜景工程监理规程、施工验收技术规范等景观照明技术与测试规范，促进国家级测试平台的建立。促进半导体照明工程应用设计交流推广。
主要研究内容：研究大功率半导体照明光源内LED的布置和二次光学配光设计，满足大面积投光和泛光照明配光需求；太阳能光伏系统与照明级白光LED的集成技术研究；照明系统供电和功率LED光源驱动器设计；系统硬件的制造和系统控制软件和数据通信网络的设计；国产器件的可靠性研究。
申请条件：本课题以已有明确的重大应用需求和技术开发研究单位合作的场馆建设业主为主体，鼓励产学研结合，有明确的技术路线和解决方案，联合申报时要明确各单位之间的责任和权利。以及可落实的自筹资金渠道和计划。
方向七、半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究
本方向经费预算为900万元，课题支持年限原则上2-3年。
研究目标：根据半导体照明产业链中的各阶段重点产品作为标准化对象，结合产业发展和技术发展的水平，以明确产品分类原则与方法，形成标准体系框架、标准明细表，明确今后五年标准的制、修订规划。组织实施关键重点标准的研究。通过国内外标准调查分析研究，选择基础标准、方法标准和重点应用产品进行研究。同时，根据测试系统和测试路线的要求，研究相关检测仪器，最终制定出关键重点标准、建立完整的测试评价和标准体系。探索区域评价与测试中心的建设和运行机制。通过标准制定，促进产学研联盟的紧密合作，加强行业凝聚和交流。
开展专利战略研究及产业发展战略研究，建立专利预警机制及应对策略，促进半导体照明信息网络平台和技术、人才、市场等数据库建设，为政府、企业提供科学的决策依据，逐步形成相对完整的知识产权体系，培育积极健康的产业环境。
主要研究内容：研究半导体照明标准体系，制定标准体系建设规划；在与国际标准接轨的前提下，研究、制订并推动实施具有自主知识产权的半导体照明相关标准；半导体照明测试平台关键技术研究与设备开发；结合基地建设，建立2-3个规范的半导体照明评价与测试中心，探索运行机制，为产品测试、评价，以及贯标和产业发展提供服务与支撑。半导体照明测试平台测试结果能与国际先进检测中心的测试结果比对验证。
研究分析专利技术发展状况、我国专利制度实施过程中存在的问题；国际半导体照明的专利诉讼历程及应对策略，制定中国半导体照明专利战略；探索专利共享的专利战略联盟机制。通过国内外半导体照明市场、技术、产业政策及发展模式等方面的研究，分析中国半导体照明产业在全球竞争格局下的竞争能力，提出中国半导体照明产业发展的总体思路、战略目标、技术路线与产业模式，以及相应的对策保障措施；编制年度产业发展报告。加强软环境的建设，通过开展信息网络平台、简报、快报、会议展览、技术培训、国际交流等工作，培育产业环境，推动半导体照明工程重大项目的有效实施。
申请条件：申请标准研究的课题单位要充分了解国内外半导体照明标准化现状及行业状况，有较强的标准化研究基础和创新思路，拥有稳定的人才队伍。申请公共测试平台建设的地方或单位，拥有基本的设备条件和较好的行业组织协调能力，鼓励具有半导体照明相关产品测试和评价经历、有齐全测试分析设备的单位参与，检测结果能得到国内和国际的认可，并有可落实的自筹资金渠道和计划。申请专利及战略研究的课题单位要有稳定的、专业化的行业分析研究队伍，有较强的行业协调和组织能力，与各级政府部门，海内外研究机构、企业有广泛的信息交流渠道和一定的信息平台基础，具备为行业服务的条件和能力。鼓励行业协会与企业群体的联合参与。
三、注意事项
1、课题申请单位的要求
(1)课题申请者必须是法人。法人是当然的课题依托单位，且须指定一名自然人担任课题申请负责人。每个课题申请只能有一个课题申请负责人和一个依托单位。
(2)申请单位应符合的基本条件：在中华人民共和国境内登记注册一年以上的企事业法人单位。包括：大学、科研机构等事业法人单位；成立一年以上且中方控股的企业法人单位。
(3)项目的申请鼓励上下游、产学研结合，鼓励地方政府、企业根据本地区的产业发展需求予以经费配套支持。
(4)联合申请的课题，申请单位与协作单位之间应分工明确，协作单位原则上不超过3家。
2、课题负责人的条件和要求
(1)课题申请者应符合的基本条件：课题申请者(申请负责人)必须具有中华人民共和国国籍，年龄在55岁以下(1951年1月1日以后出生)，具有副高级以上职称或已获得博士学位。
(2)申请者回避规定：科技部及所属事业单位借调的与863计划相关的人员不能申请或参加申请。
3、限项申请规定
为保证科研人员能够高质量地开展研究工作，863计划实行限制申请及承担课题数量规定。申请者当年申请及负责的在研课题累计不得超过一项，同时可参加一项课题(申请或在研)。
4、申报程序和要求
一、网上申报
课题申请采取网上集中申报。申报通过'国家科技计划项目申报中心'进行，网址为www.most.gov.cn。本次课题申请受理的截止日期为2006年10月30日。申请程序和要求如下：
(1) 依托单位在国家科技计划项目申报中心进行注册。有关注册程序和要求参见申报中心网上说明，技术咨询电话：010-58881245，010-68576284。注册成功后，依托单位对课题申请者授予申报用户权限。鉴于注册需要一定时间，请依托单位(包括协作单位)尽快进行网上注册。
(2) 申请者了解与课题申请有关的信息。建议拟申请863计划课题的研究人员，在申请前认真阅读相关课题申请指南，以及863计划有关管理规定等，从而了解863计划的性质、申请资格要求等事项。拟申请者可以登录科技部网站(www.most.gov.cn)或863计划网站(www.863.org.cn)查阅有关规定、办法和相关信息。
(3) 申请者确定申请的研究方向和课题类型。拟申请者在确定符合863计划课题的申请资格后，根据申请指南选择合适的研究方向和课题类型，开始着手课题申请书的撰写。
(4) 申请者填写课题申请书。申请者登录国家科技计划项目申报中心，点击进入863计划申报界面，即可按照要求填写课题申请书，也可从科技部网站或863计划网站下载课题申请书模板准备相关内容，再登录系统完成填写工作。
二、联系方式
联系人：阮军  耿博
电  话：010-51727118，010-82512806
传  真：010-51727120
地  址：北京市海淀区中关村南大街2号数码大厦B座1002室
邮  编：100086
5、其他
有关本项目课题申请指南其它未尽事宜，我们将通过科技部和863计划网站、中国半导体照明网及时通告，请大家留意网站。欢迎广大科研人员申请本项目课题。
科技部网址： www.most.gov.cn
863计划网址：www.863.org.cn
中国半导体照明网：www.china-led.net